ATP108-TL-H

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

ATP108-TL-H datasheet

• Маркировка
  ATP108-TL-H
• Производитель
  Sanyo Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor ATP108-TL-H RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: - 70 A Rds On: 10.4 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: ATPAK-3 Brand: ON Semiconductor Fall Time: 290 ns Forward Transconductance - Min: 65 S Gate Charge Qg: 79.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 60 W Rise Time: 340 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 340 ns
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet ATP108-TL-H.pdf
Файл формата Pdf 63,29 KB